[发明专利]一种低衰减单模光纤及其制备方法

权利要求书

1.一种低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层直径a为7.0～8.0μm，相对折射率差△1为0.10～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层和外包层，所述的内包层直径b为25～28μm，相对折射率差△2为-0.05～-0.25％，所述的外包层直径c为124～126μm，相对折射率差△3为-0.05～-0.25％；所述芯层与内包层的折射率贡献之差Δtotal＝Δ1-Δ2为0.342～0.38％；所述的相对折射率差为Δ％＝[(n(i)²–n(0)²)/(2n(i)²)]×100％；n(i)和n(0)分别为对应光纤第i层的折射率和纯二氧化硅玻璃层的折射率；Δ1和Δ2分别为芯层和内包层的相对折射率差。

2.按权利要求1所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述的芯层为掺锗二氧化硅玻璃层或者锗氟共掺二氧化硅玻璃层；所述的内包层为掺氟二氧化硅玻璃层或者锗氟共掺二氧化硅玻璃层。

3.按权利要求2所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述的外包层为掺氟二氧化硅玻璃层，氟的贡献量为Δ％＝-0.29％～-0.05％；所述的氟的贡献量为掺氟石英玻璃相对于纯石英玻璃的相对折射率差值。

4.按权利要求1或2所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长处的模场直径为8.4～9.6微米。

5.按权利要求1或2所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长处的衰减系数小于或等于0.324dB/km，在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.184dB/km。

6.按权利要求1或2所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤具有小于或等于1260nm的光缆截止波长；所述光纤的零色散波长为1300nm～1324nm；光纤在零色散波长处的色散斜率小于或等于0.092ps/(nm²*km)。

7.一种低衰减单模光纤的制备方法，其特征在于通过VAD工艺制造芯棒soot，形成芯层和内包层，将此芯棒soot进行脱水、烧结后得到玻璃芯棒，芯棒经过退火处理后作为靶棒，以此芯棒作为靶棒，通过OVD工艺在此靶棒外面沉积外包层，得到掺氟外包层，将该soot-on-rod棒进行脱水、烧结和退火后得到可供拉丝的预制棒，将此预制棒在2000～3300m/min的拉丝速度下进行拉丝形成光纤；所述光纤加工时的裸光纤的拉丝张力为100g～350g。