[发明专利]一种全固态直流断路器用SiCMOSFET驱动系统及控制方法

摘要

本发明涉及一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统及控制方法，属于固态直流断路器领域。所述SiC MOSFET驱动系统包括直流电流检测模块，用于检测固态断路器所在主电路的故障电流，以使得驱动系统能检测到直流系统发生的短路故障；驱动电路模块，用于提供固态直流断路器主开关元件SiC MOSFET的开通正电压、关断负电压以及不同的阻抗通路，使得驱动系统能自动适应固态直流断路器不同的工作状态；控制电路模块，与驱动电路模块匹配使用，通过对固态直流断路器不同工作状态的判断，发出不同的控制信号，以决定SiC MOSFET开通和关断动作以及对应的阻抗通路。本发明提高了基于SiC MOSFET全固态直流断路器的可靠性。

主权项

一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统，其特征在于：包括直流电流检测模块、驱动电路模块以及控制电路模块，其中：所述直流电流检测模块，采用霍尔电流传感器和电压比较器相结合的原理，用于检测固态直流断路器所在主电路的直流电流，以使得驱动系统检测主电路的短路故障；所述驱动电路模块，为全固态直流断路器用碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管(SiCMetal‑Oxide‑Semiconductor Field‑Effect Transistor,SiC MOSFET)提供开通正电压、关断负电压以及根据不同工作情况，即故障状态下的动作、正常状态下的动作，提供不同的阻抗通路；所述控制电路模块，和驱动电路模块匹配使用，用于对固态直流断路器的不同工作状态进行判断，以向驱动电路模块发出阻抗通路选择信号。