[发明专利]多晶硅块及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710531719.1 申请日: 2013-08-06
公开(公告)号: CN107253722A 公开(公告)日: 2017-10-17
发明(设计)人: 汉斯·沃赫纳;拉斯洛·法布里 申请(专利权)人: 瓦克化学股份公司
主分类号: C01B33/02 分类号: C01B33/02;C01B33/021;C01B33/037
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 张英;宫传芝
地址: 暂无信息 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及多晶硅块及其制造方法。所述多晶硅块为方形并且在其表面上具有小于200pptw的金属含量和小于50ppta的掺杂剂含量。所述制造方法包括:提供多晶硅棒,将所述多晶硅棒粉碎成方形块,以及对多晶硅块进行清洁,其中,使用具有至少一个齿辊的齿辊式粉碎机进行粉碎,所述至少一个齿辊包含W2C相,或者包含WC相以及0.1‑10%选自由以下组成的组中的金属碳化物:碳化钛、碳化铬、碳化钼、碳化钒和碳化镍,或者由具有1–25%W的钢组成。
搜索关键词: 多晶 及其 制造 方法
【主权项】:
多晶硅块,所述多晶硅块为方形并且在它们的表面上具有小于200pptw的金属含量和小于50ppta的掺杂剂含量。
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