[发明专利]一种高可靠性绝缘栅双极晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710524879.3 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107256885B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 吴郁;郭勇;金锐;郭晨;李立;李彭;刘晨静 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学;全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网河北省电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高可靠性绝缘栅双极晶体管(IGBT)，包括N型单晶硅衬底，位于衬底上表面的P阱，P阱深度不小于P阱结深的隔离槽及槽底氧化层，相邻隔离槽之间的浮空P阱，紧靠P阱上表面的N+源区，位于N+源区下方且与隔离槽相邻的P+浅阱，位于衬底上表面的栅氧化层，位于两P阱之间的厚度大于栅氧化层的颈区氧化层，颈区氧化层上表面依次设有二氧化硅层、多晶硅层、介质层，跨越并暴露N+源区和P+浅阱并与相邻隔离槽交叠的发射极和发射极接触孔槽，位于衬底下表面的掺杂层和集电极，在常规的自对准平面型IGBT结构基础上，加入隔离槽及槽底局域氧化层结构，改善了IGBT器件的整体性能，使之成为具有抗辐射能力的高可靠性IGBT。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 绝缘 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高可靠性绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述晶体管包括N型单晶硅衬底(4)，所述衬底(4)上表面的P阱(15)，P阱中的深度不小于P阱结深的隔离槽(10)及所述隔离槽(10)的槽底氧化层(11)，两隔离槽间的浮空P阱(16)，P阱(15)上表面的N+有源区(18)，所述N+有源区(18)下方且与所述隔离槽相邻的P+浅阱区(17)，位于所述N+源区(18)和P阱(15)上表面的栅氧化层(19)，所述位于两P阱(15)上表面之间的厚度大于栅氧化层(19)的颈区氧化层(5)的厚度，所述颈区氧化层(5)上表面依次设有二氧化硅层Ⅰ(6)、多晶硅层(20)和介质层(21)，跨越N+有源区(18)、P+浅阱区(17)和相邻所述隔离槽(10)暴漏的发射极(22)和发射极接触孔槽(23)；于所述衬底(4)下表面依次设置的掺杂层(24)和集电极(25)。
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