[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710523733.7 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107331772A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 李明顶;唐新桂;王一光;蒋艳平;刘秋香 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括衬底；位于所述衬底表面的底电极；位于所述底电极背离所述衬底一侧表面的多铁薄膜；位于所述多铁薄膜背离所述底电极一侧表面的顶电极。通过测试所述半导体器件的I‑V曲线可以发现，所述半导体器件在不同外界电压下均表现出良好的双极阻变效应，最高与最低电阻比值可达102，而且具有很好的可重复性。当外界最大电压为10V时，所述半导体器件的双极阻变效应在重复30次之后仍然非常明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的底电极；位于所述底电极背离所述衬底一侧表面的多铁薄膜；位于所述多铁薄膜背离所述底电极一侧表面的顶电极。
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