[发明专利]一种整流二极管薄膜器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710522800.3 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107331710A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 唐新桂;莫志烨;刘秋香;蒋艳平 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/24;H01L21/34;H01L21/368 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种整流二极管薄膜器件，包括基底、复合在基底上的氧化物薄膜、设置在基底上的底电极和设置在所述氧化物薄膜上的顶电极；所述氧化物薄膜为Hf0.5Zr0.5O2薄膜。本发明中的Hf0.5Zr0.5O2薄膜器件具有明显的二极管效应，并且与CMOS工艺具有良好的兼容性，有利于开展大规模工艺生产。本发明还提供了一种整流二极管薄膜器件，本发明采用化学溶液沉积法制备Hf0.5Zr0.5O2薄膜，且相对其他二极管制备方法而言，本发明中的薄膜组分容易控制，制备方法简单，制备得到的薄膜器件整流特性明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整流二极管 薄膜 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种整流二极管薄膜器件，包括基底、复合在基底上的氧化物薄膜、设置在基底上的底电极和设置在所述氧化物薄膜上的顶电极；所述氧化物薄膜为Hf0.5Zr0.5O2薄膜。
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