[发明专利]基板处理系统以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201710516350.7 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107611285B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 卢一镐;方承德;金范准;吴守镐;金新平 | 申请（专利权）人： | 圆益IPS股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及基板处理系统以及方法，其中基板处理方法包括：基板配置步骤，在腔室内部配置基板；掩膜部件配置步骤，在腔室内部中在基板上面配置掩膜部件；封装层形成步骤，调节相对于基板的掩膜部件的配置高度来形成封装层，以覆盖形成在基板的元件。调节相对于基板的掩膜部件的配置高度，进而能够得到形成各种结构的封装层的有利效果。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 系统 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：基板配置步骤，在腔室内部配置基板；掩膜部件配置步骤，在所述腔室内部中在所述基板上面配置掩膜部件；封装层形成步骤，调节相对于所述基板的所述掩膜部件的配置高度来形成至少一个封装层，以覆盖形成在所述基板的元件；其中，所述封装层形成步骤包括高度调节步骤，所述高度调节步骤在所述封装层沉积形成任何一个封装层的单一的沉积工艺的过程中，通过逐渐增加所述掩膜部件相对于所述基板的配置高度，进而连续调节所述封装层的沉积面积。
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