[发明专利]一种均一型多晶硅绒面的制备方法

摘要

本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种均一型多晶硅绒面的制备方法。本发明通过硅溶胶为负载体，将具有晶体结构的材料的物料包覆至材料表面，形成具有分子筛结构的薄膜，随后通过酸腐蚀改性对多硅晶体表面进行腐蚀制备，由于晶体结构的颗粒负载在材料表面后，酸腐蚀效率便会降低，使负载的材料表面无法接触酸腐蚀溶液，通过薄膜形成的软模板，对多硅晶材料表面进行刻蚀，最终制备具有均匀性结构的多硅晶绒面。

主权项

1.一种均一型多晶硅绒面的制备方法，其特征在于具体制备步骤为：（1）按质量比1:5，将四丙基氢氧化铵与去离子水混合，得混合液，将正硅酸乙酯滴加至混合液中，在室温下静置得静置液，按质量比1:10，将静置液与去离子水混合得稀释液，在氮气气氛、0～5℃冰水浴条件下，将质量分数15％正钛酸丁酯异丙醇溶液滴加至稀释液中，保温反应后超声分散得分散液；（2）按质量比1:3:5，将去离子水、质量分数25％氢氟酸和65％硝酸溶液混合，搅拌得腐蚀液，按多晶硅片与丙酮质量比为1:10，取多晶硅片浸泡至丙酮溶液中，超声洗涤后，收集洗涤硅片并按洗涤硅片与无水乙醇质量比为1:10，将洗涤硅片置于无水乙醇中，超声处理，自然晾干得处理硅片；（3）按处理硅片与分散液质量比为1:10，将处理硅片浸泡至分散液中，保温晶化处理，冷却并洗涤，得包覆晶化膜改性硅片，按包覆晶化膜改性硅片与腐蚀液质量比为1:10，将包覆晶化膜改性硅片浸泡至腐蚀液中，静置腐蚀后，洗涤、干燥，制备得一种均一型多晶硅绒面。