[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201710504880.X | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107579042A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 田渕智隆;沟本康隆;吉永晃 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 于靖帅,乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低地执行等离子蚀刻。根据本发明，提供晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下工序保护膜形成工序，对该晶片的正面包覆液状树脂而形成保护膜；半导体基板露出工序，对分割预定线照射激光光线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；保护膜去除工序，将该保护膜从该晶片的正面去除；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿分割预定线露出的半导体基板进行分割。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：保护膜形成工序，对该晶片的正面包覆液状树脂而形成保护膜；半导体基板露出工序，对分割预定线照射激光光线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；保护膜去除工序，将该保护膜从该晶片的正面去除；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
