[发明专利]手术缝合针表面的等离子体前处理方法及处理装置

摘要

本发明公开了一种手术缝合针表面的等离子体前处理方法及处理装置，该方法包括如下步骤：a.将未处理的手术缝合针放在小转盘(5)上；b.对腔室抽真空；c.当腔室的真空度达到10^‑3Pa以上时，通过进气系统(3)向腔室通入氩气和氧气，打开放电电源及偏压电源，腔室中的混合气体开始放电；d.停止通入氧气，并增加氩气的通气量以保持腔室中的气压与步骤c中的气压相同；e.向腔室通入氢气；f.充入含硅有机物；g.停止通入气体及含硅有机物，当处理后的手术缝合针冷却后，将其取出。该方法可有效去除手术针表面的有机污染物，同时对表面进行微结构构造，并通过含硅有机物来改变表面的化学结构和能量状态，以提高后续浸油效果。

主权项

1.一种手术缝合针表面的等离子体前处理方法，其特征在于所述等离子体前处理方法包括如下步骤：a.将未处理的手术缝合针放在小转盘(5)上；b.对腔室抽真空；c.当所述腔室的真空度达到10‑3 Pa以上时，通过进气系统(3)向所述腔室通入氩气和氧气，打开放电电源及偏压电源，所述腔室中的混合气体开始放电；d.停止通入所述氧气，并增加所述氩气的通气量以保持腔室中的气压与步骤c中的气压相同；e.向所述腔室通入氢气；f.充入含硅有机物；g.停止通入气体及所述含硅有机物，当处理后的手术缝合针冷却后，将所述处理后的手术缝合针取出；其中，所述小转盘(5)安放在大转盘(6)上，并且当所述大转盘(6)公转时，所述小转盘(5)进行自转，在步骤c中，所述氩气和氧气的流量比是5:1到1:2，所述放电电源的功率为100‑300W，所述偏压电源的电压为100‑200V，所述放电持续1‑10min，在步骤d中，放电持续5‑10min，在步骤e中，氩气与所述氢气的流量比是5:1到1:2，放电持续20‑60min，偏压电源的电压为200‑500V，在步骤f中，氩气与所述含硅有机物的流量比是5:1到1:1，放电电源的功率为100‑1000W，偏压电源的电压为300‑1000V，放电持续10min，所述偏压电源是脉冲电源，占空比为20‑80％，频率<20kHz，所述含硅有机物是HMDSO或TMS，所述小转盘(5)自转的转速与所述大转盘(6)公转的转速之比是10:1‑5:1，在所述步骤b中，将腔室温度加热到150℃，以加快排出所述腔室壁吸附的气体。