[发明专利]具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路及无线发射系统有效
| 申请号： | 201710485742.1 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107171647B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡秋富;章国豪 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F1/32;H03F1/02;H03F3/21;H03F3/24;H04B1/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，包括具有电流镜结构的第一NPN型三极管Q2和第二NPN型三极管、晶体管、偏置电容和第一电阻。通过具体的电路连接结构，使得偏置电容的电位能够在输入功率增大且不超过临界值时，保持不变，从而使得功率管的集电极的电流随输入功率的增大而增大，当输入功率进一步增大且超过临界值时，偏置电容的电位下降，从而使得功率管的集电极的电流随输入功率的增大而降低，最终趋于稳定。另外，通过第一电阻能够补偿功率管的温度，提高热温度性。本发明还公开一种包含上述电路的无线发射系统，有益效果如上所述。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 损耗 温度 补偿 自适应 偏置 电路 无线 发射 系统 | ||
【主权项】：
一种具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，其特征在于，包括具有电流镜结构的第一NPN型三极管和第二NPN型三极管、晶体管、偏置电容和第一电阻；所述第一NPN型三极管的集电极与基极连接，发射极和所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与功率放大器的功率管的控制端连接；所述第二NPN型三极管的集电极与基极连接，发射极和所述晶体管的第一端连接，所述晶体管的第二端接地；所述偏置电容的第一端分别与所述第一NPN型三极管的基极、所述第二NPN型三极管的基极以及供电电源连接，第二端接地。
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