[发明专利]具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路及无线发射系统

权利要求书

1.一种具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，其特征在于，包括具有电流镜结构的第一NPN型三极管和第二NPN型三极管、晶体管、偏置电容和第一电阻；

所述第一NPN型三极管的集电极与基极连接，发射极和所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与功率放大器的功率管的控制端连接；

所述第二NPN型三极管的集电极与基极连接，发射极和所述晶体管的第一端连接，所述晶体管的第二端接地；

所述偏置电容的第一端分别与所述第一NPN型三极管的基极、所述第二NPN型三极管的基极以及供电电源连接，第二端接地；其中，所述偏置电容的容值根据偏置电路和功率放大器的具体参数确定。

2.根据权利要求1所述的具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，其特征在于，还包括第二电容，所述第二电容与所述第一电阻并联。

3.根据权利要求2所述的具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，其特征在于，还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述第二NPN型三极管的集电极连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第一NPN型三极管的基极、所述第一NPN型三极管的集电极以及所述偏置电容的第一端连接。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，其特征在于，还包括第三电阻，所述第三电阻的第一端与所述供电电源连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第一NPN型三极管的基极、所述第二NPN型三极管的基极以及所述偏置电容的第一端连接。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，其特征在于，所述晶体管为NPN型三极管，集电极与基极连接作为所述晶体管的第一端，发射极作为所述晶体管的第二端。

6.一种无线发射系统，包括功率放大器，其特征在于，还包括权利要求1-5任意一项所述的低损耗自适应偏置电路，与所述功率放大器中用于接收射频输入信号的功率管连接。

7.根据权利要求6所述的无线发射系统，其特征在于，所述功率管为异质结双极晶体管且为NPN型。