[发明专利]一种调节占空比的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710483323.4 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107450118A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 尚飞;郭海侠;冯晓芳 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京鑫媛睿博知识产权代理有限公司11297 | 代理人： | 龚家骅 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种调节占空比的刻蚀方法，应用于半导体分布反馈激光器芯片制备全息光栅中光栅中，该方法包括将刻蚀混合气体三氯化硼、氯气、氩气按照所述气体三氯化硼氯气氩气＝1110～3560体积范围比进行混合；通过连续调节所述刻蚀设备的射频功率，在预设条件下使用刻蚀混合气体对所述刻蚀材料进行刻蚀。以实现在不改变全息曝光工艺的前提下，在半导体激光器芯片制造工艺的全息曝光制备光栅过程中，使得对占空比连续调节且占空比大于0.5。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种调节占空比的刻蚀方法，应用于半导体分布反馈激光器芯片制备全息光栅中光栅中，其特征在于，包括：将刻蚀混合气体三氯化硼、氯气、氩气按照所述气体三氯化硼:氯气:氩气＝1:1:10～3:5:60体积范围比进行混合；通过连续调节所述刻蚀设备的射频功率，在预设条件下使用刻蚀混合气体对刻蚀材料进行刻蚀。
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