[发明专利]一种调节占空比的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710483323.4 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107450118A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 尚飞;郭海侠;冯晓芳 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京鑫媛睿博知识产权代理有限公司11297 | 代理人： | 龚家骅 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调节 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种调节占空比的刻蚀方法，应用于半导体分布反馈激光器芯片制备全息光栅中光栅中，其特征在于，包括：
将刻蚀混合气体三氯化硼、氯气、氩气按照所述气体三氯化硼:氯气:氩气＝1:1:10～3:5:60体积范围比进行混合；
通过连续调节所述刻蚀设备的射频功率，在预设条件下使用刻蚀混合气体对刻蚀材料进行刻蚀。
2.如权利要求1所述的调节占空比的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀混合气体中所述气体的体积比为，三氯化硼:氯气:氩气＝3:5:35。
3.如权利要求1所述的调节占空比的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀混合气体中所述气体的流量范围为，所述三氯化硼气体的流量范围为1～3sccm，所述氯气气体的流量范围为1～5sccm，所述氩气气体的流量范围为10～60sccm。
4.如权利要求3所述的调节占空比的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀混合气体中所述气体的流量为，三氯化硼气体的流量为3sccm，氯气气体的流量为5sccm，氩气气体的流量为35sccm。
5.如权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，
所述使用所述刻蚀混合气体进行刻蚀的预设条件包括，预设温度为50℃，且预设温度的波动范围为50±0.5℃，预设工作气压为1～2mTorr，预设的所述射频功率为40～100W。
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