[发明专利]一种微波芯片共晶焊接的工艺方法在审
申请号: | 201710478803.1 | 申请日: | 2017-06-22 |
公开(公告)号: | CN107316820A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 李强;洪火锋;赵影;窦增昌;何宏玉;梁曰坤 | 申请(专利权)人: | 中科迪高微波系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人: | 邹飞艳,张苗 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种微波芯片共晶焊接的工艺方法,包括步骤1清洗和烘干载体;步骤2对载体进行等离子清洗;步骤3设置共晶焊接参数;步骤4放置并固定载体;步骤5放置预成型金锡焊片;步骤6放置微波芯片;步骤7调整石英风管位置;步骤8微波芯片共晶焊接;步骤9焊接质量检测。该微波芯片共晶焊接的工艺方法操作简单、安全性高、具有通用性,并且适合小批量、多品种产品生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 微波 芯片 焊接 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种微波芯片共晶焊接的工艺方法,其特征在于,包括:步骤1:清洗和烘干载体;步骤2:对载体进行等离子清洗;步骤3:设置共晶焊接参数;步骤4:放置并固定载体;步骤5:放置预成型金锡焊片;步骤6:放置微波芯片;步骤7:调整石英风管位置;步骤8:微波芯片共晶焊接;步骤9:焊接质量检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造