[发明专利]存储器的升压电路有效
| 申请号： | 201710478425.7 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107527643B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 莫希特·查纳纳;安柯·戈埃尔 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司;安谋科技（中国）有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述的多种实现针对一种具有与互补位线耦合的存储单元的设备。存储单元可以存储与经由所述互补位线接收的互补位线信号相关联的至少一个数据比特值。该设备可以包括经由互补位线与存储单元耦合的一对写驱动器。该对写驱动器可以被布置为基于互补升压信号向所述存储单元提供所述互补位线信号。该设备可以包括与该对写驱动器的相应栅极耦合的一对互补升压发生器。该对互补升压发生器可以被布置为基于所述至少一个数据比特值选择性地将所述互补升压信号提供给该对写驱动器的相应栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 升压 电路 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：存储单元，与互补位线耦合，其中所述存储单元存储与经由所述互补位线接收的互补位线信号相关联的至少一个数据比特值；一对写驱动器，经由所述互补位线与所述存储单元耦合，其中该对写驱动器被布置为基于互补升压信号向所述存储单元提供所述互补位线信号；以及一对互补升压发生器，与该对写驱动器的相应栅极耦合，其中该对互补升压发生器被布置为基于所述至少一个数据比特值选择性地将所述互补升压信号提供给该对写驱动器的相应栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ARM有限公司;安谋科技（中国）有限公司，未经ARM有限公司;安谋科技（中国）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710478425.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括缓冲存储器的存储器器件和存储器模块
- 下一篇：并联配置的电阻存储器元件
