[发明专利]一种基于卤化铅的阻变存储器

摘要

本发明提出了一种基于卤化铅的阻变存储器及其制备方法，其具体结构为三明治结构，FTO、ITO、ZTO作为基片和底电极，卤化铅薄膜作为阻变层，Pt、Au、W作为顶电极。本发明采用了一种新型的阻变功能材料卤化铅，它具有成分简单、易于成膜、在空气中化学性能稳定的特点。以卤化铅作为阻变层制备的阻变存储器单元，具有高低阻态比值窗口大、电学性能稳定、制备工艺简单、成本低廉、安全可靠，同时无环境污染的特点，它的存储窗口值达到了103以上。具有良好的循环耐受性，在多次重复擦写之后仍然具有良好的阻变性能。本发明具有较好的发展潜力和应用价值。

主权项

1.一种基于卤化铅的阻变存储器，从下至上依次为透明导电玻璃基片及底电极、阻变层和顶电极，其特征在于：所述透明导电玻璃的材料为FTO、或者为ITO、或者为ZTO，底电极为其导电薄膜，是阻变存储器的共电极；所述阻变层为卤化铅薄膜，其厚度为50～300nm，阻变层由单个或多个单元组成，每个单元一端连接顶电极，一端连接底电极；所述顶电极为Au、Pt薄膜或W薄膜，厚度为50～300nm，顶电极由多个顶电极单元组成，每个顶电极单元一端浮置，一端连接阻变层单元；所述卤化铅为PbI2、或者为PbBr2、或者为PbCl2中的任一种；上一层的单元尺寸不超过下一层的单元尺寸。