[发明专利]基板处理系统和温度控制方法有效
申请号: | 201710471019.8 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN107546150B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 山田建一郎;照内怜;中村健一郎;山本能吏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够实现载置台的小型化和构造的简化的基板处理系统和温度控制方法。基板处理系统具备基板处理装置和控制装置。基板处理装置具有:腔室;载置台,其设置在腔室内,用于载置被处理基板;以及加热器,其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域对应的位置,该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。控制装置具有:保持部,其按每个分割区域保持表示加热器的电阻值与分割区域的温度之间的关系的表;测定部,其针对每个分割区域测定加热器的电阻值;以及控制部,其针对每个分割区域,参照表来估计与由测定部测定出的加热器的电阻值对应的分割区域的温度,控制向加热器供给的电力以使得所估计出的温度变为目标温度。 | ||
搜索关键词: | 处理 系统 温度 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理系统,具备基板处理装置以及对所述基板处理装置进行控制的控制装置,该基板处理系统的特征在于,所述基板处理装置具有:腔室;载置台,其设置在所述腔室内,用于载置被处理基板;以及加热器,其被嵌入到所述载置台的内部的与各个分割区域对应的位置,该各个分割区域是将所述载置台的上表面分割为多个区域而得到的,所述控制装置具有:保持部,其按每个所述分割区域保持表示被嵌入到所述载置台的内部的加热器的电阻值与所述分割区域的温度之间的关系的表;测定部,其针对每个所述分割区域测定被嵌入到所述载置台的内部的加热器的电阻值;以及控制部,其针对每个所述分割区域,参照所述表来估计与由所述测定部测定出的加热器的电阻值对应的所述分割区域的温度,对向所述加热器供给的电力进行控制,以使得所估计出的温度变为目标温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造