[发明专利]HBC型晶体太阳能电池的制造方法

摘要

本发明涉及HBC型晶体太阳能电池的制造方法以及HBC型晶体太阳能电池。该制造方法使用由第一导电型的晶体硅构成的基板，且依次包括：单独或者同时地形成i型的非晶Si层α和i型的非晶Si层β的工序；形成光致抗蚀剂的工序；通过利用掩模的离子注入法，将导电型与第一导电型相同的部位A以及导电型与第一导电型不同的部位B，以内部存在于非晶Si层β并且在该非晶Si层β的外表面侧暴露出一部分的方式，形成在通过光致抗蚀剂而相互分隔的位置的工序；对离子注入后的非晶Si层β进行退火处理的工序；以覆盖位于非晶Si层β的外表面侧的部位A、部位B以及光致抗蚀剂的方式来形成导电性部件的工序；以及去除被导电性部件覆盖的光致抗蚀剂的工序。

主权项

一种异质结背接触HBC型晶体太阳能电池的制造方法，其中，使用由第一导电型的晶体硅构成的基板，且依次包括：单独或者同时地形成i型的非晶Si层α和i型的非晶Si层β的工序，所述i型的非晶Si层α覆盖相对于所述基板而言光入射的那一个面，所述i型的非晶Si层β覆盖位于与该一个面相反侧的另一个面；以覆盖所述非晶Si层β的外表面之中在后面的工序中不导入杂质的区域的方式来形成光致抗蚀剂的工序；通过利用掩模的离子注入法，将导电型与所述第一导电型相同的部位A以及导电型与所述第一导电型不同的部位B，以内部存在于所述非晶Si层β并且在该非晶Si层β的外表面侧暴露出一部分的方式，形成在通过所述光致抗蚀剂而相互分隔的位置的工序；对离子注入后的所述非晶Si层β进行退火处理的工序；以覆盖位于所述非晶Si层β的外表面侧的所述部位A、所述部位B以及所述光致抗蚀剂的方式来形成导电性部件的工序；以及去除被所述导电性部件覆盖的光致抗蚀剂的工序。