[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710464022.7 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107256890A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 马丽;李佳豪;康源 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所61214 | 代理人： | 胡燕恒 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括从上到下依次设置的N+发射极区、P‑base区、N‑层、N缓冲层，N‑层内设置有P柱区；N缓冲层下方设置有N+集电极及P+集电极，N+集电极与P+集电极相邻，N+集电极与P+集电极之间开有氧化槽，氧化槽顶部穿过N缓冲层，氧化槽的上表面与P柱区的下表面相接触。本发明的逆导型绝缘栅双极型晶体管反向恢复峰值电流较常规的RC‑IGBT大大减小，反向阻断特性和正向导通特性有了很大提升，能够更好的适用于高频电路应用中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括从上到下依次设置的N+发射极区(1)、P‑base区(2)、N‑层(3)、N缓冲层(5)，所述N‑层(3)内设置有P柱区(4)；所述N缓冲层(5)下方设置有N+集电极(8)及P+集电极(6)，所述N+集电极(8)与所述P+集电极(6)相邻，所述N+集电极(8)与所述P+集电极(6)之间开有氧化槽(7)，所述氧化槽(7)顶部穿过N缓冲层(5)，所述氧化槽(7)的上表面与P柱区(4)的下表面相接触。
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