[发明专利]一种太阳能电池制程金属离子污染检测方法及装置有效
| 申请号： | 201710463972.8 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107123608B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 黄纪德;金井升;张昕宇;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李海建 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池制程金属离子污染检测方法，该方法为：将待检测电池片放置于反应容器内，并向所述反应容器内通入HF酸蒸气，使所述待检测电池片与所述HF酸蒸气充分接触预定时间。通过该检测方法可以确认硅片表面被金属离子污染的位置，同时可以追溯至出现金属离子污染的工序，从而为后续的生产提供指导，这有利于太阳能电池片工艺制程中异常问题的分析和解决。本发明还设计一种能够实现上述检测方法的太阳能电池制程金属离子污染检测装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 金属 离子 污染 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池制程金属离子污染检测方法，其特征在于，将待检测电池片放置于反应容器内，并向所述反应容器内通入HF酸蒸气，使所述待检测电池片与所述HF酸蒸气充分接触并持续预定时间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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