[发明专利]辐射增强的双极晶体管在审
| 申请号： | 201710458049.5 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107546263A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | J·F·萨尔兹曼;R·W·卡恩;R·G·罗伊鲍尔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/08;H01L23/552;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 徐东升,赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开一种辐射增强的双极晶体管，所公开的示例包括集成电路和双极晶体管(100)，该双极晶体管(100)具有在衬底(102,104)中的第一导电类型的第一区(106)、设置在衬底(102,104)中的第二导电类型的集电极区(114)以及延伸到第一区(106)中的第一导电类型的基极区(108)。第二导电类型的第一发射极区(110)延伸到第一区(106)中，并且该第一发射极区(110)包括与基极区(108a)隔开并面向基极区(108a)的侧面。第二导电类型(N‑)的第二发射极区(112)向下延伸到第一区(106)中，紧邻第一发射极区(110)的顶表面(101)以及第一侧面的上部，以便减轻来自辐射的氢注射导致的表面效应以及增益衰减，从而提供辐射硬化的双极晶体管(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 增强 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极晶体管，其包含：半导体衬底，其包括顶表面；第一导电类型的第一区，其从所述顶表面向下延伸到所述衬底中，所述第一区具有第一掺杂浓度；第二导电类型的集电极区，其被设置在所述衬底中；所述第一导电类型的基极区，其从所述顶表面向下延伸到所述第一区中并紧邻所述顶表面，所述基极区具有比所述第一掺杂浓度大的第二掺杂浓度；所述第二导电类型的第一发射极区，其向下延伸到所述第一区中并紧邻所述顶表面，所述第一发射极区具有第三掺杂浓度，所述第一发射极区包括与所述基极区隔开并面向所述基极区的第一侧面；以及所述第二导电类型的第二发射极区，其向下延伸到所述第一区中，所述第二发射极区紧邻所述顶表面并且紧邻所述第一发射极区的所述第一侧面的上部，所述第二发射极区具有小于所述第三掺杂浓度的第四掺杂浓度。
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