[发明专利]辐射增强的双极晶体管

权利要求书

1.一种双极晶体管，其包含：

半导体衬底，其包括顶表面；

第一导电类型的第一区，其从所述顶表面向下延伸到所述衬底中，所述第一区具有第一掺杂浓度；

第二导电类型的集电极区，其被设置在所述衬底中；

所述第一导电类型的基极区，其从所述顶表面向下延伸到所述第一区中并紧邻所述顶表面，所述基极区具有比所述第一掺杂浓度大的第二掺杂浓度；

所述第二导电类型的第一发射极区，其向下延伸到所述第一区中并紧邻所述顶表面，所述第一发射极区具有第三掺杂浓度，所述第一发射极区包括与所述基极区隔开并面向所述基极区的第一侧面；以及

所述第二导电类型的第二发射极区，其向下延伸到所述第一区中，所述第二发射极区紧邻所述顶表面并且紧邻所述第一发射极区的所述第一侧面的上部，所述第二发射极区具有小于所述第三掺杂浓度的第四掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的双极晶体管，其进一步包含：

所述第一导电类型的第二基极区，其从所述顶表面向下延伸到所述第一区中并紧邻所述顶表面，所述第二基极区具有所述第二掺杂浓度；

其中所述第一发射极区包括与所述第二基极区隔开并面向所述第二基极区的第二侧面；并且

其中所述第二发射极区紧邻所述第一发射极区的所述第二侧面的上部。

3.根据权利要求2所述的双极晶体管，

其中所述集电极区从所述顶表面向下延伸到所述衬底中，所述集电极区与所述第一区横向隔开；并且

其中所述双极晶体管进一步包括：

导电第一基极触点，其在所述顶表面上方紧邻所述基极区，

导电第二基极触点，其在所述顶表面上方紧邻所述第二基极区，

导电发射极触点，其在所述顶表面上方紧邻所述第一发射极区，以及

导电集电极触点，其在所述顶表面上方紧邻所述集电极区。

4.根据权利要求2所述的双极晶体管，其中所述第一发射极区从所述顶表面向下延伸进入所述第一区至第一深度，其中所述第二发射极区从所述顶表面向下延伸进入所述第一区至第二深度，并且其中所述第二深度小于所述第一深度。

5.根据权利要求2所述的双极晶体管，其中所述第一导电类型是P型，并且所述第二导电类型是N型，并且其中所述双极晶体管是NPN晶体管。

6.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中所述第一发射极区从所述顶表面向下延伸进入所述第一区至第一深度，其中所述第二发射极区从所述顶表面向下延伸进入所述第一区至第二深度，并且其中所述第二深度小于所述第一深度。

7.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中所述第一导电类型是P型，并且所述第二导电类型是N型，并且其中所述双极晶体管是NPN晶体管。

8.根据权利要求1所述的双极晶体管，进一步包含：

导电基极触点，其在所述顶表面上方紧邻所述基极区，以及

导电发射极触点，其在所述顶表面上方紧邻所述第一发射极区。

9.一种集成电路即IC，其包含：

半导体衬底，其包括顶表面；

第一导电类型的第一区，其从所述顶表面向下延伸到所述衬底中，所述第一区具有第一掺杂浓度；

第二导电类型的集电极区，其被设置在所述衬底中；

所述第一导电类型的基极区，其从所述顶表面向下延伸到所述第一区中并紧邻所述顶表面，所述基极区具有大于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度；

导电基极触点，其在所述顶表面上方紧邻所述基极区；

所述第二导电类型的第一发射极区，其向下延伸到所述第一区中并紧邻所述顶表面，所述第一发射极区具有第三掺杂浓度，所述第一发射极区包括第一侧面，所述第一侧面与所述基极区隔开并面向所述基极区；

导电发射极触点，其在所述顶表面上方紧邻所述第一发射极区；以及

所述第二导电类型的第二发射极区，其向下延伸到所述第一区中，所述第二发射极区紧邻所述顶表面并且紧邻所述第一发射极区的所述第一侧面的上部，所述第二发射极区具有小于所述第三掺杂浓度的第四掺杂浓度。

10.根据权利要求9所述的IC，其进一步包括设置在所述衬底的所述顶表面上方的金属化结构，所述金属化结构包括允许外部连接到所述基极触点和所述发射极触点的导电结构。