[发明专利]磁性随机存取存储器有效
| 申请号： | 201710454316.1 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107256716B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 金灿景;姜东锡;金惠珍;朴哲佑;孙东贤;李润相;姜尚范;吴泂录;车秀镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种磁性随机存取存储器(MRAM)、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种存储系统，包括：磁性随机存取存储器(MRAM)，其包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元；及存储控制器，其与MRAM通信，其中，MRAM包括支持多个工作模式的模式寄存器，并且其中：所述存储控制器被配置为用于以下：选择第一模式寄存器设置代码，所述第一模式寄存器设置代码包括用来在不同模式寄存器状态之间进行选择的一组预定位，每个模式寄存器状态与多个工作模式之一对应并且用于设置一组工作特性；以及输出包括第一模式寄存器设置代码的第一命令，其中，该组预定位的每一位具有特定值以用于选择与第一组工作特性关联的第一工作模式，其中，第一模式寄存器设置代码用于根据第一组工作特性来控制MRAM的操作。
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