[发明专利]磁性随机存取存储器

说明书

公开了一种磁性随机存取存储器(MRAM)、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。

本申请是申请日为2013年5月17日、申请号为201310185288.X、发明名称为“磁性随机存取存储器”的发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

此申请要求于2012年5月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0052594的优先权，通过引用将其公开全面合并于此。

技术领域

公开的实施例涉及一种半导体存储设备，并且更具体地，涉及一种包括非易失性磁层的磁性随机存取存储器(MRAM)的工作模式。

背景技术

半导体产品的体积正在逐渐减小，但是半导体产品仍然使用大容量的数据处理。从而，增加半导体产品中使用的存储设备的工作速度和集成度是有帮助的。为了满足这样的特性，已经提出了一种通过使用根据磁性材料的极性改变的电阻变化来实现存储器功能的MRAM。

发明内容

公开的实施例提供了一种提供各种工作模式的磁性随机存取存储器(MRAM)，以及包括其的存储模块和存储系统。各种工作模式可以用于执行高速、高容量及低功耗的功能。

根据一个实施例，提供了一种磁性随机存取存储器(MRAM)，其包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，MRAM包括支持MRAM的多个工作模式的模式寄存器，其中每个工作模式与MRAM的一组工作特性关联。

可以使用模式寄存器来设置脉冲(burst)长度，脉冲长度指示针对MRAM的读或写命令可存取的列位置的最大数目。

可以使用模式寄存器来设置读脉冲类型，读脉冲类型定义在数据终端上从MRAM输出的数据的次序。

可以使用模式寄存器来设置列地址选通(CAS)延迟，CAS延迟定义MRAM的读命令和有效输出数据的首位之间的时钟周期延迟。

可以使用模式寄存器来设置MRAM的测试模式。

可以使用模式寄存器来提供MRAM的延迟锁定环(DLL)重置特性。

可以使用模式寄存器来提供用于MRAM的自动预充电的写恢复和读命令至预充电特性。

可以使用模式寄存器来在MRAM的预充电省电模式期间选择延迟锁定环(DLL)使用。

可以使用模式寄存器来选择MRAM的延迟锁定环(DLL)启用或禁用。

模式寄存器可以用于输出MRAM的驱动器阻抗控制。

可以使用模式寄存器来选择MRAM的额外延迟。

可以使用模式寄存器来提供写均衡特性来补偿MRAM的时钟和选通之间的偏斜。

可以使用模式寄存器来提供MRAM的片上端接特性。

可以使用模式寄存器来提供当在没有MRAM的命令情况下而在操作期间选择的注册标称端接(nominal termination)或停驻端接(park termination)、以及写命令被注册时，所选择的动态端接。

可以使用模式寄存器来提供启用MRAM的额外端接电阻输出的端接数据选通功能。

可以使用模式寄存器来提供MRAM的输出缓冲器启用或禁用功能。

可以使用模式寄存器来提供通过MRAM的内部写命令和有效输入数据的首位之间的时钟周期延迟来定义的列地址选通(CAS)写延迟功能。