[发明专利]掩膜版、过孔及显示基板的形成方法、显示基板及装置在审
| 申请号： | 201710447407.2 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107247386A | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 王小元;杨妮;方琰;齐智坚;李云泽;许亨艺 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/54 | 分类号： | G03F1/54;G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,刘伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种掩膜版、过孔及显示基板的形成方法、显示基板及装置，该掩膜版用于在膜层上形成过孔，包括用于形成过孔的透光图案，所述透光图案具有弯曲的边缘。由于掩膜版上的透光图案具有弯曲的边缘，因而采用上述掩膜版形成的过孔的底部也具有弯曲的边缘，从而能够增加通过过孔电连接的上下导电层接触的边界线的长度，降低上下导电层之间的接触电阻，提高上下导电层的连接性，另外，在形成过孔的曝光工艺中，透光图案边缘处的光的透过量较小，该部分对应的膜层只能曝光掉一部分厚度，使得形成的过孔内壁的坡度角较小，从而降低了过孔的段差，避免上层导电层在过孔内断裂，进一步提高了连接性。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 显示 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种掩膜版，用于在膜层上形成过孔，其特征在于，包括：用于形成过孔的透光图案，所述透光图案具有弯曲的边缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710447407.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
