[发明专利]掩膜版、过孔及显示基板的形成方法、显示基板及装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜版、过孔及显示基板的形成方法、显示基板及装置。

背景技术

在显示基板的设计中，为了实现电气连接，不同导电层(如金属层或ITO层等)之间需要通过过孔(Hole)连接，过孔尺寸和形状设计决定不同导电层之间的连接性和接触电阻大小。

目前，过孔形状通常采用矩形(即平行于显示基板的平面的截面为正方形或长方形)设计，过孔尺寸较小时，过孔接触面积(即上下两层导电层在过孔内的接触区域的面积，即过孔底部的面积)较小，从而使得过孔接触电阻较大，导致上下两层导电层的连接性较差。增大过孔尺寸能有效减小过孔接触电阻，增强连接性，但过孔尺寸较大会导致像素(Pixel)开口率下降，同时可能导致配向膜(PI)扩散相关Mura。

同时，随着显示产品分辨率要求越来越高，充电时间减少，往往需要采用更厚的绝缘层(PVX(钝化层)或ORG(有机膜)等)来降低存储电容(Cst)以提升充电率，当用于设置过孔的绝缘层的膜厚较大时，现有的矩形过孔设计会导致过孔四壁坡度角较大，从而过孔的段差很大，上层导电层在进入过孔中时容易发生断裂，影响连接性。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种掩膜版、过孔及显示基板的形成方法、显示基板及装置，用于减小通过过孔电连接的上下导电层之间的过孔接触电阻以及过孔的段差，提高上下导电层之间的连接性。

为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜版，用于在膜层上形成过孔，包括：用于形成过孔的透光图案，所述透光图案具有弯曲的边缘。

优选地，所述透光图案具有呈锯齿状或波浪状的边缘。

优选地，所述透光图案呈矩形或圆形。

优选地，所述透光图案包括主体部分和设置于所述主体部分上的多个锯齿。

优选地，在所述锯齿的尖端的延伸方向上，所述锯齿在与所述延伸方向垂直的方向上的宽度，由大于曝光机的分辨率逐渐减小至小于曝光机的分辨率，所述曝光机为用于形成过孔的曝光机。

本发明还提供一种过孔的形成方法，包括：

提供一膜层；

采用上述掩膜版，在所述膜层上形成过孔。

优选地，所述膜层采用光刻材料形成时，所述在所述膜层上形成过孔的步骤包括：

将所述掩膜版置于所述膜层的上方；

对所述膜层进行曝光，在所述膜层上形成过孔。

优选地，所述膜层采用非光刻材料形成时，所述在所述膜层上形成过孔的步骤包括：

在所述膜层上形成光刻胶层；

将所述掩膜版置于所述光刻胶层的上方；

对光刻胶层进行曝光和显影，形成光刻胶保留区和光刻胶去除区；

对所述光刻胶去除区的膜层进行刻蚀，在所述膜层上形成过孔。

本发明还提供一种显示基板的形成方法，包括：在膜层上形成过孔，所述过孔采用上述方法形成。

本发明还提供一种显示基板，包括：膜层以及形成在所述膜层上的过孔，所述过孔的横截面图形具有弯曲的边缘。

优选地，所述过孔的横截面图形具有波浪状的边缘。

优选地，所述膜层包括至少一层绝缘膜层。

本发明还提供一种显示装置，包括上述显示基板。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

由于掩膜版上的透光图案具有弯曲的边缘，因而采用上述掩膜版形成的过孔的底部也具有弯曲的边缘，从而能够增加通过过孔电连接的上下导电层接触的边界线的长度，降低上下导电层之间的接触电阻，提高上下导电层的连接性，另外，在形成过孔的曝光工艺中，透光图案边缘处的光的透过量较小，该部分对应的膜层只能曝光掉一部分厚度，使得形成的过孔内壁的坡度角较小，从而降低了过孔的段差，避免上层导电层在过孔内断裂，进一步提高了连接性。

附图说明

图1为本发明实施例一的掩膜版的结构示意图；

图2为本发明实施例二的掩膜版的结构示意图；

图3为本发明实施例三的掩膜版的结构示意图；

图4为本发明实施例四的掩膜版的结构示意图；

图5为图1中的透光图案的锯齿的放大示意图；

图6是采用发明实施例一的掩膜版形成过孔的示意图；

图7是图6中形成的过孔的剖视图；

图8是采用现有的掩膜版形成过孔的示意图；

图9是现有技术中的一显示基板的结构示意图；

图10是本发明实施例的显示基板的结构示意图。

具体实施方式