[发明专利]晶体管有效
| 申请号： | 201710430180.0 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107492574B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 后藤尚人;保坂泰靖;矢口瑞穂 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方式的目的是提供一种占有面积小的晶体管。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种可靠性良好的晶体管。在具有凸部的绝缘层上设置晶体管。在该凸部上至少设置半导体层的沟道形成区。由此，可以减小该晶体管的占有面积。由于该晶体管具有弯曲的结构，因此从外部入射的光不容易到达半导体层的沟道形成区。由此可以减轻外部光所引起的该晶体管的劣化，而可以提高该晶体管的可靠性。该凸部可以通过利用形成在该绝缘层上的层的内部应力来实现。或者，可以通过在该绝缘层下形成用来使该绝缘层具有凸部的结构体来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的第一栅电极；所述第一栅电极上的第一栅极绝缘层；所述第一栅极绝缘层上的半导体层，与所述半导体层接触的源电极；与所述半导体层接触的漏电极；所述半导体层、所述源电极及所述漏电极上的第二栅极绝缘层；以及所述第二栅极绝缘层上的第二栅电极，其中，所述第一绝缘层具有凸部，所述凸部与所述第一栅电极、所述第一栅极绝缘层、所述半导体层、所述第二栅极绝缘层及所述第二栅电极重叠，并且，所述第一绝缘层包含有机树脂。
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