[发明专利]晶体管有效
| 申请号： | 201710430180.0 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107492574B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 后藤尚人;保坂泰靖;矢口瑞穂 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的第二绝缘层；以及
所述第二绝缘层上的晶体管，所述晶体管包括：
所述第二绝缘层上的第一栅电极；
所述第一栅电极上的第一栅极绝缘层；
所述第一栅极绝缘层上的半导体层，
与所述半导体层接触的源电极；
与所述半导体层接触的漏电极；
所述半导体层、所述源电极及所述漏电极上的第二栅极绝缘层；以及
所述第二栅极绝缘层上的第二栅电极，
其中，所述第一绝缘层包括与所述第二栅电极重叠的第一区域以及与所述第二栅电极不重叠的第二区域，
其中，所述第一区域的顶面包括凸部，
其中，所述第二区域的顶面包括多个凹部，
其中，所述凸部与所述第一栅电极、所述第一栅极绝缘层、所述半导体层、所述第二栅极绝缘层及所述第二栅电极重叠，并且
其中，所述第一绝缘层包含有机树脂。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述凸部的顶端或所述顶端的附近的曲率半径为沟道长度的1倍以上且20倍以下。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述有机树脂为聚酰亚胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯树脂、聚酰胺和环氧树脂中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二绝缘层包含无机材料。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层为氧化物半导体层。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述半导体层包含铟、镓及锌。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述凸部与所述第一绝缘层下的结构体重叠。
8.一种半导体装置，包括：
第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的第二绝缘层；以及
所述第二绝缘层上的晶体管，所述晶体管包括：
所述第二绝缘层上的第一栅电极；
所述第一栅电极上的第一栅极绝缘层；
所述第一栅极绝缘层上的半导体层，
与所述半导体层接触的源电极；
与所述半导体层接触的漏电极；
所述半导体层上的第二栅极绝缘层；
所述第二栅极绝缘层上的第二栅电极；以及
所述第二栅电极上的与所述半导体层接触的第三绝缘层，
其中，所述第一绝缘层包括与所述第二栅电极重叠的第一区域以及与所述第二栅电极不重叠的第二区域，
其中，所述第一区域的顶面包括凸部，
其中，所述第二区域的顶面包括多个凹部，
其中，所述凸部与所述第一栅电极、所述第一栅极绝缘层、所述半导体层、所述第二栅极绝缘层及所述第二栅电极重叠，并且
其中，所述第一绝缘层包含有机树脂。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述凸部的顶端或所述顶端的附近的曲率半径为沟道长度的1倍以上且20倍以下。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述有机树脂为聚酰亚胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯树脂、聚酰胺和环氧树脂中的至少一个。
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第二绝缘层包含无机材料。
12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第三绝缘层包含硅及氮。
13.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述半导体层为氧化物半导体层。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述半导体层包含铟、镓及锌。
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