[发明专利]一种铁电场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710426282.5 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107240606B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 廖敏;肖文武;周益春;彭强祥;钟向丽;王金斌 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/51;H01L29/78;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 宋静娜;郝传鑫 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种铁电场效应晶体管，包括：衬底；在所述衬底上形成的沟道层；在所述沟道层上形成的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区对称形成于所述沟道层的两端；在所述沟道层上且在所述源极区和所述漏极区之间形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的铁电栅介质层；在所述铁电栅介质层上形成的栅电极；在所述源极区上形成的源电极；以及在所述漏极区上形成的漏电极。本发明采用β‑Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 电场 效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铁电场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上形成的沟道层；在所述沟道层上形成的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区对称形成于所述沟道层的两端；在所述沟道层上且在所述源极区和所述漏极区之间形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的铁电栅介质层；在所述铁电栅介质层上形成的栅电极；在所述源极区上形成的源电极；以及在所述漏极区上形成的漏电极。
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