[发明专利]一种水听器及其封装工艺有效

专利信息
申请号: 201710420212.9 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN107396239B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 赵晓宏;林挺宇;俞学东;罗九斌 申请(专利权)人: 纽威仕微电子(无锡)有限公司
主分类号: H04R1/44 分类号: H04R1/44
代理公司: 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 代理人: 顾吉云
地址: 214000 江苏省无锡市蠡园经*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种水听器,其体积更小,封装工艺难度低,容易制成大规模阵列,灵敏度高,线性度好,具有超高的噪声分辨率,包括传感器芯片和ASIC芯片,ASIC芯片通过倒装焊焊接在传感器芯片的下端,所述传感器芯片包括第一硅晶圆,所述第一硅晶圆的上表面通过刻蚀形成柱状凸起,所述第一硅晶圆的上表面与第二片硅晶圆的下表面真空键合形成空腔,所述第二硅晶圆的上表面上形成自上至下分别为上金属导电层、压电材料层、下金属导电层的复合层,所述ASIC芯片包括AISC晶圆和下基板,所述AISC晶圆的下表面通过焊球与所述下基板的上表面焊接接合,所述AISC晶圆封装在下注塑层中;此外,本发明还提供了一种水听器的封装工艺。
搜索关键词: 一种 水听器 及其 封装 工艺
【主权项】:
一种水听器,其特征在于:包括传感器芯片和ASIC芯片,所述ASIC芯片通过倒装焊焊接在所述传感器芯片的下端,所述传感器芯片包括第一硅晶圆,所述第一硅晶圆的上表面通过刻蚀形成柱状凸起,所述第一硅晶圆的上表面与第二片硅晶圆的下表面真空键合形成空腔,所述第二硅晶圆的上表面上形成自上至下分别为上金属导电层、压电材料层、下金属导电层的复合层,所述复合层的边沿包裹在钝化层中,所述上金属导电层和所述下金属导电层分别向外延伸形成上延伸部和下延伸部,所述上延伸部和所述下延伸部上分别设有焊盘,所述第一硅晶圆的下表面与上基板的上表面接合,所述第一硅晶圆与所述上基板之间设有连接焊盘,所述焊盘通过导线连接连接焊盘,其还包括塑封层,所述塑封层将所述焊盘、导线封装在内且所述上金属导电层上端设有与环境声学连通的声进入开口,所述上基板的下表面下生长有底部焊盘,所述连接焊盘通过所述上基板内的导电走线连接所述底部焊盘;所述ASIC芯片包括AISC晶圆和下基板,所述AISC晶圆的下表面通过焊球与所述下基板的上表面焊接接合,所述AISC晶圆封装在下注塑层中,所述焊球分别通过所述下基板内的导电走线连接生长在所述下基板的下表面上的的下部焊盘和下部焊球;所述下部焊球与所述底部焊盘焊接配合。
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