[发明专利]一种非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法在审
| 申请号： | 201710407853.0 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107190135A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 徐勇攀;赵安平;李家洪;徐雨 | 申请（专利权）人： | 深圳市信维通信股份有限公司 |
| 主分类号： | C21D9/52 | 分类号： | C21D9/52;C21D1/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，该方法基于磁场热处理炉实现，所述磁场热处理炉包括有高温加热室及用于向高温加热室内加载磁场的供磁装置，所述方法包括如下步骤步骤S1，准备非晶或纳米晶材质的带材工件；步骤S2，将所述带材工件放置于高温加热室内；步骤S3，令高温加热室达到加热温度，并利用供磁装置向高温加热室内的带材工件施加磁场；步骤S4，在步骤S3中的温度和磁场条件下保持预设时间后，完成磁场热处理。本发明可改善非晶或纳米晶屏蔽片的磁性能，使得屏蔽片在不同的方向的软磁性能更加优良，进而满足多种工作状态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 屏蔽 磁场 热处理 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，其特征在于，该方法基于磁场热处理炉(1)实现，所述磁场热处理炉(1)包括有高温加热室(2)及用于向高温加热室(2)内加载磁场的供磁装置，所述方法包括如下步骤：步骤S1，准备非晶或纳米晶材质的带材工件(3)；步骤S2，将所述带材工件(3)放置于高温加热室(2)内；步骤S3，令高温加热室(2)达到加热温度，并利用供磁装置向高温加热室(2)内的带材工件(3)施加磁场；步骤S4，在步骤S3中的温度和磁场条件下保持预设时间后，完成磁场热处理。
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