[发明专利]一种非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法

权利要求书

1.一种非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，其特征在于，该方法基于磁场热处理炉(1)实现，所述磁场热处理炉(1)包括有高温加热室(2)及用于向高温加热室(2)内加载磁场的供磁装置，所述方法包括如下步骤：

步骤S1，准备非晶或纳米晶材质的带材工件(3)；

步骤S2，将所述带材工件(3)放置于高温加热室(2)内；

步骤S3，令高温加热室(2)达到加热温度，并利用供磁装置向高温加热室(2)内的带材工件(3)施加磁场；

步骤S4，在步骤S3中的温度和磁场条件下保持预设时间后，完成磁场热处理。

2.如权利要求1所述的非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，其特征在于，所述高温加热室(2)内经过抽真空处理或者通入保护性气体，所述供磁装置为电磁线圈或强磁体，所述带材工件(3)在高温加热室(2)内的热处理温度为350℃～600℃，磁场强度为300Gs～1500Gs，热处理时间为1小时～6小时。

3.如权利要求1所述的非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，其特征在于，所述带材工件(3)由多层单片带材堆叠成长方体形状，所述单片带材的厚度为14μm～50μm，宽度为5mm～230mm，所述带材工件(3)堆叠后的长度为50mm～1000mm，宽度为5mm～230mm，厚度为1mm～50mm。

4.如权利要求3所述的非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，其特征在于，所述供磁装置的磁场方向与带材工件(3)的宽度方向相同。

5.如权利要求3所述的非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，其特征在于，所述供磁装置的磁场方向与带材工件(3)的厚度方向相同。

6.如权利要求3所述的非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，其特征在于，所述供磁装置的磁场方向与带材工件(3)的长度方向相同。

7.如权利要求3所述的非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，其特征在于，所述供磁装置的磁场方向与带材工件(3)的摆放方向呈预设夹角，所述夹角为钝角或锐角。

8.如权利要求1所述的非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，其特征在于，所述带材工件(3)由单片带材卷绕而成柱状。

9.如权利要求8所述的非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，其特征在于，所述供磁装置的磁场方向与带材工件(3)的轴向相同。

10.如权利要求8所述的非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，其特征在于，所述带材工件(3)的轴心穿设有导体(4)，所述供磁装置的磁场方向与带材工件(3)的周向相同。