[发明专利]一种非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及屏蔽片的加工方法，尤其涉及一种非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法。

背景技术

非晶及纳米晶材料作为一种新型软磁材料，凭借其优异的软磁性能在电力电子、光伏逆变、风能发电等领域到了广泛的应用，在电力变压器，逆变变压器，互感器，差模及共模电感中都能见到这种材料的身影。但是非晶及纳米晶作为屏蔽材料的应用，一直都没有得到足够的重视，随着无线充电，近场通信的兴起，非晶及纳米晶屏蔽片近年来开始涉及。现有技术中，非晶及纳米晶屏蔽片的热处理方式为普通加热处理，用这种加工方式得到的屏蔽片，由于磁性能不强，因而难以在屏蔽材料应用领域推广，此外这种屏蔽片的性能单一，难以满足多种工作状况。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种可改善非晶或纳米晶屏蔽片的磁性能，使得屏蔽片在不同的方向的软磁性能更加优良，进而满足多种工作状态的磁场热处理方法。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案。

一种非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，该方法基于磁场热处理炉实现，所述磁场热处理炉包括有高温加热室及用于向高温加热室内加载磁场的供磁装置，所述方法包括如下步骤：步骤S1，准备非晶或纳米晶材质的带材工件；步骤S2，将所述带材工件放置于高温加热室内；步骤S3，令高温加热室达到加热温度，并利用供磁装置向高温加热室内的带材工件施加磁场；步骤S4，在步骤S3中的温度和磁场条件下保持预设时间后，完成磁场热处理。

优选地，所述高温加热室内经过抽真空处理或者通入保护性气体，所述供磁装置为电磁线圈或强磁体，所述带材工件在高温加热室内的热处理温度为350℃～600℃，磁场强度为300Gs～1500Gs，热处理时间为1小时～6小时。

优选地，所述带材工件由多层单片带材堆叠成长方体形状，所述单片带材的厚度为14μm～50μm，宽度为5mm～230mm，所述带材工件堆叠后的长度为50mm～1000mm，宽度为5mm～230mm，厚度为1mm～50mm。

优选地，所述供磁装置的磁场方向与带材工件的宽度方向相同。

优选地，所述供磁装置的磁场方向与带材工件的厚度方向相同。

优选地，所述供磁装置的磁场方向与带材工件的长度方向相同。

优选地，所述供磁装置的磁场方向与带材工件的摆放方向呈预设夹角，所述夹角为钝角或锐角。

优选地，所述带材工件由单片带材卷绕而成柱状。

优选地，所述供磁装置的磁场方向与带材工件的轴向相同。

优选地，所述带材工件的轴心穿设有导体，所述供磁装置的磁场方向与带材工件的周向相同。

本发明公开的非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法中，采用基于磁场热处理炉的磁场热处理的方式，使得非晶纳米晶屏蔽片的磁畴方向，按外加磁场的方向发生偏转，进而提高屏蔽片的特性。屏蔽片在实际使用的过程中，由于外加磁场的方向和屏蔽片的放置方向可以处于不同的相对位置，因而能够实现多种外加磁场的方式，进而满足多种工作状况。

附图说明

图1为本发明第一实施例中带材工件方向与磁场方向的示意图。

图2为本发明第二实施例中带材工件方向与磁场方向的示意图。

图3为本发明第三实施例中带材工件方向与磁场方向的示意图。

图4为本发明第四实施例中带材工件方向与磁场方向的示意图。

图5为本发明第五实施例中带材工件方向与磁场方向的示意图。

图6为本发明第六实施例中带材工件方向与磁场方向的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作更加详细的描述。

本发明公开了一种非晶或纳米晶屏蔽片的磁场热处理方法，如图1所示，该方法基于磁场热处理炉1实现，所述磁场热处理炉1包括有高温加热室2及用于向高温加热室2内加载磁场的供磁装置，所述方法包括如下步骤：

步骤S1，准备非晶或纳米晶材质的带材工件3；

步骤S2，将所述带材工件3放置于高温加热室2内；

步骤S3，令高温加热室2达到加热温度，并利用供磁装置向高温加热室2内的带材工件3施加磁场；

步骤S4，在步骤S3中的温度和磁场条件下保持预设时间后，完成磁场热处理。