[发明专利]LED外延结构及其制备方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201710406980.9 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN108987538B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 项博媛;谢春林 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了LED外延结构及其制备方法和半导体器件。该LED外延结构包括：衬底；缓冲层；n型低掺杂半导体层；n型超晶格过渡层；n型第一高掺杂半导体层；n型第二高掺杂半导体层；量子阱过渡层；量子阱有源层；p型电子阻挡层；p型掺杂半导体层。该发光二极管芯片可以有效降低晶体位错与缺陷，提升晶体的结晶质量，在大电流驱动下有效降低LED结构的电压。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层设置于所述衬底的一个表面上；n型低掺杂半导体层，所述n型低掺杂半导体层设置于所述缓冲层远离所述衬底的表面上；n型超晶格过渡层，所述n型超晶格过渡层设置于所述n型低掺杂半导体层远离所述衬底的表面上；n型第一高掺杂半导体层，所述n型第一高掺杂半导体层设置于所述n型超晶格过渡层远离所述衬底的表面上；n型第二高掺杂半导体层，所述n型第二高掺杂半导体层设置于所述n型第一高掺杂半导体层远离所述衬底的表面上；量子阱过渡层，所述量子阱过渡层设置于所述n型第二高掺杂半导体层远离所述衬底的表面上；量子阱有源层，所述量子阱有源层设置于所述量子阱过渡层远离所述衬底的表面上；p型电子阻挡层，所述p型电子阻挡层设置于所述量子阱有源层远离所述衬底的表面上；p型掺杂半导体层，所述p型掺杂半导体层设置于所述p型电子阻挡层远离所述衬底的表面上。
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