[发明专利]具有高真空的场发射X射线管在审
| 申请号： | 201710406634.0 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107195517A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 黄世耀;林及人 | 申请（专利权）人： | 重庆涌阳光电有限公司 |
| 主分类号： | H01J35/20 | 分类号： | H01J35/20 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)50221 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 401329 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高真空的场发射X射线管。所述具有高真空的场发射X射线管包括真空罩体和气体吸附薄膜，所述真空罩体内的一端设有阴极场发射组件，所述真空罩体的另一端设有阳极靶，所述阴极场发射组件内设有用于场发射的碳纳米材料，所述碳纳米材料与所述阴极场发射组件电性连接，所述气体吸附薄膜设在阴极场发射组件表面和/或阳极靶表面，所述阴极场发射组件和阳极靶均设有针脚，所述阴极场发射组件和阳极靶的针脚部分位于真空罩体外。本发明具有高真空的场发射X射线管使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 真空 发射 射线 | ||
【主权项】：
一种具有高真空的场发射X射线管，其特征在于：包括真空罩体和气体吸附薄膜，所述真空罩体内的一端设有阴极场发射组件，所述真空罩体的另一端设有阳极靶，所述阴极场发射组件内设有用于场发射的碳纳米材料，所述碳纳米材料与所述阴极场发射组件电性连接，所述气体吸附薄膜设在阴极场发射组件表面和/或阳极靶表面，所述阴极场发射组件和阳极靶均设有针脚，所述阴极场发射组件和阳极靶的针脚部分位于真空罩体外。
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