[发明专利]一种基于一步法制备高发光效率无机钙钛矿薄膜的方法在审
| 申请号： | 201710401775.3 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107195710A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 孙洪涛;周阳;雍自俊;马桔萍;陈雅蒙 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;C09K11/66;C03C17/22 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 陶海锋,孙周强 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于一步法制备高发光效率无机钙钛矿薄膜的方法；将卤化铅和卤化铯溶于溶剂中，得到钙钛矿前驱体溶液；然后将前驱体溶液旋涂后加热得到高发光效率无机钙钛矿薄膜；所述卤化铅和卤化铯的摩尔比为1∶1～1.3。本发明具有成本低、易操作、热处理温度要求低等特点，便于钙钛矿薄膜的大规模生产，并且通过限定前驱物比例，在没有改变钙钛矿晶相的前提下，显著提升了薄膜的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 一步法 制备 发光 效率 无机 钙钛矿 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种基于一步法制备高发光效率无机钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤，将卤化铅和卤化铯溶于溶剂中，得到钙钛矿前驱体溶液；然后将前驱体溶液旋涂后加热得到高发光效率无机钙钛矿薄膜；所述卤化铅和卤化铯的摩尔比为1∶1～1.3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
