[发明专利]硅基集成微系统三维堆叠结构及其制作方法在审
申请号: | 201710401342.8 | 申请日: | 2017-05-31 |
公开(公告)号: | CN107285270A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 赵永志;王绍东 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 苏英杰 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅基集成微系统三维堆叠结构及其制作方法,涉及微波和微电子封装技术领域,本发明采用封装堆叠工艺,实现了微波电路的系统的小型化;将MEMS体硅封装工艺和植球工艺相融合,降低了微波电路三维集成难度,通过通孔和焊球进行微波及控制信号的上下互连,降低传输损耗,同时提高结构的空间利用率,充分利用两种技术优势,实现高集成度、高性能的三维结构;采用MEMS体硅封装工艺将微波电路进行封装,解决了常规半导体封装技术在微波电磁兼容方面面临的难题。同时,采用封装堆叠工艺,提高了微波系统三维集成的灵活度。 | ||
搜索关键词: | 集成 系统 三维 堆叠 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种硅基集成微系统三维堆叠结构,其特征在于:包括第一层微波电路、第二层微波电路和控制电路;第一层微波电路、第二层微波电路和控制电路均进行封装形成第一层微波电路封装体(11)、第二层微波电路封装体(12)和控制电路封装体(13),第二层微波电路封装体(12)和控制电路封装体(13)的底面设有焊球(14),第二层微波电路封装体(12)通过焊球(14)堆叠在第一微波电路封装体上,控制电路封装体(13)通过焊球(14)堆叠在第二层微波电路封装体(12)上。
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