[发明专利]硅基集成微系统三维堆叠结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201710401342.8 申请日: 2017-05-31
公开(公告)号: CN107285270A 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: 赵永志;王绍东 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所13120 代理人: 苏英杰
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种硅基集成微系统三维堆叠结构及其制作方法,涉及微波和微电子封装技术领域,本发明采用封装堆叠工艺,实现了微波电路的系统的小型化;将MEMS体硅封装工艺和植球工艺相融合,降低了微波电路三维集成难度,通过通孔和焊球进行微波及控制信号的上下互连,降低传输损耗,同时提高结构的空间利用率,充分利用两种技术优势,实现高集成度、高性能的三维结构;采用MEMS体硅封装工艺将微波电路进行封装,解决了常规半导体封装技术在微波电磁兼容方面面临的难题。同时,采用封装堆叠工艺,提高了微波系统三维集成的灵活度。
搜索关键词: 集成 系统 三维 堆叠 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种硅基集成微系统三维堆叠结构,其特征在于:包括第一层微波电路、第二层微波电路和控制电路;第一层微波电路、第二层微波电路和控制电路均进行封装形成第一层微波电路封装体(11)、第二层微波电路封装体(12)和控制电路封装体(13),第二层微波电路封装体(12)和控制电路封装体(13)的底面设有焊球(14),第二层微波电路封装体(12)通过焊球(14)堆叠在第一微波电路封装体上,控制电路封装体(13)通过焊球(14)堆叠在第二层微波电路封装体(12)上。
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