[发明专利]一种电极无损伤且易焊线的GaAs基LED芯片的制备方法

摘要

一种电极无损伤且易焊线的GaAs基LED芯片的制备方法，包括如下步骤a)在GaAs衬底上生长外延层；b)在膜光刻腐蚀制成电极图形；c)沉积Au膜；d)生长出Au膜作为N电极；e)对膜进行腐蚀，形成P电极。通过先在外延片表面制备并腐蚀有电极图形的膜，再在膜上沉积Au膜形成P电极，整个GaAs基LED芯片生产过程中不需使用胶，因此有效降低了有机物的擦刘，避免了现有技术中化学药品对电极表面的损失以及电极制备后作业过程对电极表面的划伤，且最终P电极制备前使用腐蚀液对腐蚀膜且对电极表面进行了无机溶剂的清洗使表面更洁净更易焊线，焊线不需要大压力即可焊接，避免了现有技术制备的GaAs基LED芯片难焊线、电极表面异常的问题。

主权项

一种电极无损伤且易焊线的GaAs基LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)在GaAs衬底上生长外延层；b)在外延层上沉积形成膜，并在膜光刻腐蚀制成电极图形；c)在150℃‑200℃的温度下对膜上沉积Au膜，所述Au膜的厚度小于膜的厚度；d) 在GaAs衬底背面进行减薄处理，使其背面生长出Au膜作为N电极；e)对膜进行腐蚀，腐蚀完成后将原膜上的Au膜剥离掉形成P电极，并对P电极进行退火处理。