[发明专利]一种石墨烯器件的制造方法

摘要

本发明提供一种石墨烯器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底上生长绝缘层，在绝缘层上生长石墨烯层；在器件上沉积金属掩膜层；对金属掩膜层和石墨烯层进行有源区刻蚀；在有源区的金属掩膜层上形成T型栅结构；去除有源区的金属掩膜层，对暴露出的石墨烯层进行表面预处理；以T型栅结构为掩膜，沉积自对准接触金属层；在自对准接触金属层周边选择性沉积外围测试金属电极，外围测试金属电极部分覆盖自对准金属层。本发明能够避免后续工艺对石墨烯表面的有机残留沾污，并且能够大大降低石墨烯器件的寄生电阻，提高器件的直流和频率特性。

主权项

一种石墨烯器件的制造方法，其特征在于，包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上生长绝缘层，在所述绝缘层上生长石墨烯层；步骤二、在所述器件上沉积金属掩膜层；步骤三、对所述金属掩膜层和所述石墨烯层进行有源区刻蚀；步骤四、在所述有源区的金属掩膜层上形成T型栅结构；步骤五、去除所述有源区的金属掩膜层，对暴露出的石墨烯层进行表面预处理；步骤六、以所述T型栅结构为掩膜，沉积自对准接触金属层；步骤七、在所述自对准接触金属层周边选择性沉积外围测试金属电极，所述外围测试金属电极部分覆盖所述自对准金属层。