[发明专利]一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法有效
| 申请号： | 201710391250.6 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107275218B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 彭松昂;金智;张大勇;史敬元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法，包括：步骤一、提供衬底，在衬底上制备二维材料层；步骤二、在二维材料层上沉积栅介质层；步骤三、对栅介质层和二维材料层进行有源区图形化刻蚀；步骤四、对源漏接触区的栅介质层进行腐蚀，并沉积源漏电极金属；步骤五、在沟道区的栅介质层上沉积栅电极金属。本发明能够避免二维材料在器件制备工艺过程中受到光刻胶的沾污，有助于提高器件的迁移率，降低器件的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 光刻 沾污 二维 材料 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法，其特征在于，包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上制备二维材料层；步骤二、在所述二维材料层上沉积栅介质层；步骤三、对所述栅介质层和所述二维材料层进行有源区图形化刻蚀；步骤四、对源漏接触区的栅介质层进行腐蚀，并沉积源漏电极金属；步骤五、在沟道区的所述栅介质层上沉积栅电极金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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