[发明专利]基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法有效
| 申请号： | 201710384704.7 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107045996B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 李易成;梁学勤;陈发勤;李旭敏;李宏;张军 | 申请（专利权）人： | 宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/36 |
| 代理公司： | 42103 宜昌市三峡专利事务所 | 代理人： | 黎泽洲<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 44300*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法，涉及多晶硅生产领域，包括以下步骤：建立光致发光硅片检测系统；以光致发光硅片检测系统检测多晶硅片；获取多晶硅片的少子寿命、位错、晶界信息和杂质含量的影响因子；将多晶硅片制备成电池片，测试电池片的电性能参数；根据各个影响因子对电池片的电性能影响程度，获取Q值；根据Q值评估多晶硅片的质量。通过采用以上的方案，能够构建表征多晶硅片和硅锭晶体质量的特征值，通过在线应用检测，评估多晶硅片的晶体质量，同时以此评估整个硅锭的晶体质量，提供热场结构改进和铸锭工艺优化的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光致发光 评估 多晶 晶体 质量 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法，其特征是包括以下步骤：/ns1、建立光致发光硅片检测系统；/ns2、以光致发光硅片检测系统检测多晶硅片(5)；/ns3、获取多晶硅片(5)的影响因子；/ns4、将多晶硅片(5)制备成电池片，测试电池片的电性能参数；/ns5、根据各个影响因子对电池片的电性能影响程度，获取Q值；/nQ值获取公式为：/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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