[发明专利]基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法

权利要求书

1.一种基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法，其特征是包括以下步骤：

s1、建立光致发光硅片检测系统；

s2、以光致发光硅片检测系统检测多晶硅片(5)；

s3、获取多晶硅片(5)的影响因子；

s4、将多晶硅片(5)制备成电池片，测试电池片的电性能参数；

s5、根据各个影响因子对电池片的电性能影响程度，获取Q值；

Q值获取公式为：

式中，Q为硅锭质量参数，A、B、C……为影响权重；a、b、c……为各类影响因子的测试值，e为自然常数，x₁、x₂、x₃……为权重修正系数；

根据Q值评估多晶硅片的质量。

2.一种基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法，其特征是包括以下步骤：

s1、建立光致发光硅片检测系统；

s2、选取批量相同铸锭工艺的硅锭，剖锭之后将所有硅块按照从底部到顶部的顺序切割成多晶硅片(5)，按照硅块底部到硅块顶部的顺序将多晶硅片(5)分组；

s3、以光致发光硅片检测系统检测各组的多晶硅片(5)，获取多晶硅片(5)的影响因子，将影响因子取平均值；

s4、将各组的多晶硅片(5)在相同的电池制备工艺下制成电池片，测试电池片的电性能参数，取各组电池片的电性能参数平均值；

s5、根据各个影响因子对电池片电性能参数的影响权重，获取Q值，

Q值获取公式为：

式中，Q为硅锭质量参数，A、B、C……为影响权重；a、b、c……为各类影响因子的测试值，e为自然常数，x₁、x₂、x₃……为权重修正系数；

根据Q值评估整个硅锭的质量。

3.根据权利要求1～2任一项所述的基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法，其特征是：根据不同位置对应的硅块的Q值评估整个硅锭的质量，反映热场结构的缺陷和铸锭工艺优化方向。

4.根据权利要求3所述的基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法，其特征是：根据硅块对应的位置，建立硅锭的Q值方格图。

5.根据权利要求1～2任一项所述的基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法，其特征是：影响因子包括少子寿命、位错、晶界信息、杂质含量中一项或多项的组合。

6.根据权利要求1～2任一项所述的基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法，其特征是：所述的光致发光硅片检测系统中，步进旋转平台(4)上方一侧设有光发射装置(1)，另一侧设有采集装置(2)，采集装置(2)与控制装置(3)电连接。

7.根据权利要求6所述的基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法，其特征是：在检测过程中，步进旋转平台(4)旋转至少90°。

8.根据权利要求7述的基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法，其特征是：光致发光硅片检测系统获取的图像中，将影响因子以颜色标识。

9.根据权利要求7述的基于光致发光评估多晶硅锭的晶体质量的方法，其特征是：光致发光硅片检测系统获取的图像中，将各个影响因子以不同的颜色分别标识。