[发明专利]离子源以及用于在大处理区域上产生具有可控离子电流密度分布的离子束的方法在审
| 申请号： | 201710378174.5 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107438328A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | B·德鲁兹;R·叶夫图霍夫;R·希罗尼米;A·海耶斯;M·勒沃索;P·波尔什涅夫 | 申请（专利权）人： | 维易科仪器有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H05H1/10;H01J49/10 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 李琳,许向彤 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的离子源包括用于改变离子源的排放空间内的等离子体的分布的一个或多个电磁体。所述电磁体中的至少一个定向成围绕所述离子源的管状侧壁的外周并且改变所述排放空间的边缘区域中的等离子体的分布。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源 以及 用于 处理 区域 产生 具有 可控 离子 电流密度 分布 离子束 方法 | ||
【主权项】：
一种离子源，包括：排放室，所述排放室具有适合于容纳工作气体的排放空间，所述排放室包括封闭端、开口端和在所述封闭端与所述开口端之间延伸的管状侧壁；天线，所述天线适合于从所述排放空间内的所述工作气体产生等离子体；以及第一电磁体，所述第一电磁体设置在所述排放室的所述管状侧壁的外周，用于改变所述排放空间内的所述等离子体的分布，其中，所述第一电磁体被设置为并且适合于主要改变所述排放空间的边缘区域中的等离子体的分布。
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