[发明专利]一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法，该制备方法是取镍盐、聚乙烯吡咯烷酮、水合肼、氨水进行水热反应，可在具有金字塔绒面结构的硅片上生长镍膜，将镍膜从硅片基底层揭下后即可获得具有反衬金字塔结构的凹坑阵列的自支撑镍膜。本发明省去导电材料的合成与浆料的制备环节，相对于传统工艺更为简单；本发明镍膜的反衬金字塔孔凹坑阵列结构具有优异的高耐折机械性能和导电性能；同时区别基于纳米银或者纳米铜的导电膜、导电纸，该镍导电膜化学稳定性优异，不存在银、铜所易于氧化问题的发生；且原料成本低廉；本发明的镍导电膜是一种无基底的自支撑镍膜，可以适用于高温或极度潮湿的场合。

主权项

一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法，其特征是含以下步骤：(1)取镍盐、聚乙烯吡咯烷酮、水合肼、氨水在容器中搅拌均匀得到混合液；(2)将混合液倒入水热反应釜中，再将具有金字塔绒面结构的硅片基底呈斜倚状放入到反应釜中，密闭后放入恒温箱中，调节反应温度为100～230℃，反应时间是1～24小时，反应后冷却至室温；(3)取出反应容器中的样品，清洗、烘干后，将镍膜从硅片基底层揭下后即可分离获得自支撑的具有反衬金字塔结构的镍膜。