[发明专利]一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法

权利要求书

1.一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法，其特征是含以下步骤：

(1)取镍盐、聚乙烯吡咯烷酮、水合肼、氨水在容器中搅拌均匀得到混合液；

(2)将混合液倒入水热反应釜中，再将具有金字塔绒面结构的硅片基底呈斜倚状放入到反应釜中，密闭后放入恒温箱中，调节反应温度为100～230℃，反应时间是1～24小时，反应后冷却至室温；

(3)取出反应容器中的样品，清洗、烘干后，将镍膜从硅片基底层揭下后即可分离获得自支撑的具有反衬金字塔结构的镍膜。

2.根据权利要求1所述的一种具有反衬金字塔凹坑阵列的可折叠、可卷曲自支撑镍导电膜的制备方法，其特征是：步骤(1)中镍盐、聚乙烯吡咯烷酮、水合肼、氨水的质量体积比为0.1～5g︰0.1～5g︰1～60mL︰1～60mL。

3.根据权利要求1所述的一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法，其特征是：步骤(1)中所述的镍盐为硝酸镍、氯化镍、硫酸镍、乙酸镍中的一种或几种。

4.根据权利要求2所述的一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法，其特征是：步骤(1)中所述的水合肼的浓度为20～80w/w％；所述的氨水的浓度为5～25w/w％。

5.根据权利要求1所述的一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法，其特征是：步骤(1)中搅拌的时间为5min～1h。

6.根据权利要求1所述的一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法，其特征是：步骤(2)中所用的密闭的水热反应釜为高温高压反应釜，所述的高温高压反应釜具有金属壳体，在金属壳体中设置有密闭的塑料或玻璃内衬。

7.根据权利要求6所述的一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法，其特征是：所述的塑料为聚四氟乙烯。

8.根据权利要求1所述的一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法，其特征是：步骤(2)中所用的硅片为通过酸或碱定向腐蚀硅片得到的具有金字塔结构的制绒硅片。

9.根据权利要求1所述的一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法，其特征是：步骤(3)中清洗采用去离子水和无水乙醇先后洗涤数次。

10.根据权利要求1所述的一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法，其特征是：步骤(3)中烘干时的温度为50～70℃，烘干时间为1～48h。