[发明专利]一种选择性红外辐射器

摘要

本发明提供了一种选择性红外辐射器，包括基体材料硅、沉积在基体材料上的氧化铒厚膜以及沉积在氧化铒厚膜上的一维Si/Er₂O₃光子晶体。其中，一维Si/Er₂O₃光子晶体由交替沉积在氧化铒厚膜上的硅薄膜和氧化铒薄膜两种介质材料。本发明提供的选择性红外辐射器可获得极窄的选择性红外辐射光谱，从而大幅提高TPV系统的光电转换效率。

主权项

1.一种选择性红外辐射器，其特征在于，它包括基体材料硅(Si)、沉积在基体材料上的氧化铒(Er2O3)厚膜以及沉积在氧化铒厚膜上的一维Si/Er2O3光子晶体；一维Si/Er2O3光子晶体由交替沉积在氧化铒厚膜上的硅薄膜和氧化铒薄膜两种介质材料组成；沉积在基体材料上的氧化铒厚膜厚度为1微米～100微米；硅薄膜与氧化铒薄膜交替沉积后采用密封压力反应1～4h，密封压力的压力为3MPa～10MPa，温度为100～120℃；密封压力反应后硅薄膜和氧化铒薄膜材料采用无水乙醇与无水甲醇清洗，所述清洗方式采用曝气微沸反应，无水乙醇微沸反应1～2h，无水甲醇清洗2～3h，然后60～80℃烘干，所述微沸反应温度为80～90℃，所述曝气气体采用氮气，流速为10～15mL/min。