[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底之上的第一晶体管，所述第一晶体管包括：第一半导体片，包括具有结晶性的硅或具有结晶性的锗；与所述第一半导体片交叠的第一栅极电极；在所述第一半导体片和所述第一栅极电极之间的第一栅极绝缘膜；以及与所述第一半导体片电连接的第一源极电极和第一漏极电极；在所述第一半导体片、所述第一栅极电极和所述第一栅极绝缘膜之上的第一绝缘膜；以及第二晶体管，包括：在所述第一绝缘膜之上的氧化物半导体膜；与所述氧化物半导体膜交叠的第二栅极电极；在所述氧化物半导体膜和所述第二栅极电极之间的第二栅极绝缘层；各自与所述氧化物半导体膜电接触的第二源极电极和第二漏极电极；以及与所述第二栅极电极直接接触的侧壁，其中所述第二源极电极与所述侧壁的倾斜的表面直接接触。