[发明专利]一种富硒黑豆的栽种方法在审
申请号: | 201710356987.4 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN107079702A | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 王立存 | 申请(专利权)人: | 王立存 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01C1/06;A01B79/02;C05G1/00;C05F17/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 530800 广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明属于农业种植领域,具体涉及一种富硒黑豆的栽种方法。所述方法包括以下步骤A、种子处理选择子粒饱满的种子进行晒种2‑3天,每公斤种子用硼砂0.8~1.2克溶于30毫升水中,溶解后拌种,种子阴干后即可播种;B、整地施肥选择沙质土壤,每亩施有机肥1000‑2000公斤后旋耕,旋耕深度20cm‑23cm;C、开穴播种播种深度3~4cm,行距10~15cm,株距45~60cm,每穴播1~2粒,每亩为10000~12000株;D、田间管理黑豆初花期和鼓粒期,叶面各喷施1次质量浓度为0.5%亚硒酸钠溶液。本发明所产黑豆中硒的含量稳定在520‑610微克/100克,大大增加了黑豆的保健效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 黑豆 栽种 方法 | ||
【主权项】:
一种富硒黑豆的栽种方法,其特征在于,包括以下步骤:A、种子处理:选择子粒饱满的种子进行晒种2‑3天,每公斤种子用硼砂0.8~1.2克溶于30毫升水中,溶解后拌种,种子阴干后即可播种;B、整地施肥:选择沙质土壤,每亩施有机肥1000‑2000公斤后旋耕,旋耕深度20cm‑23cm;C、开穴播种:播种深度3~4cm,行距10~15cm,株距45~60cm,每穴播1~2粒,每亩为10000~12000株;D、田间管理:黑豆初花期和鼓粒期,叶面各喷施1次质量浓度为0.5%亚硒酸钠溶液。
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