[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710355120.7 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108962753A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述基底内具有隔离结构；在所述第二区域基底和第二区域隔离结构上形成保护层；在第一区域基底、第一区域隔离结构以及所述保护层上形成掺杂层；对所述掺杂层进行退火处理，使所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入第一区域基底，形成第一掺杂区；对所述掺杂层进行退火处理后，去除所述掺杂层。所述方法使得半导体结构性能较好，且形成所述半导体结构工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 掺杂层 半导体结构 第一区域 第二区域 隔离结构 退火处理 保护层 掺杂离子 掺杂区 去除 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述基底内具有隔离结构；在所述第二区域基底和第二区域隔离结构上形成保护层；在第一区域基底、第一区域隔离结构以及所述保护层上形成掺杂层；对所述掺杂层进行退火处理，使所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入第一区域基底，形成第一掺杂区；对所述掺杂层进行退火处理后，去除所述掺杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
